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KYOWA KSPH Semiconductor Strain Gages
고출력 반도체 스트레인 게이지
KSPH 시리즈 게이지는 높은 저항을 가지므로 높은 여기 전압을 적용하여 높은 출력 전압을 얻을 수 있습니다.
재료 저항 소자 | P type Si |
---|---|
재료 베이스 | Paper base + phenol-epoxy |
경화 후 주요 접착제와 결합된 작동 온도(℃) | CC-33A: -50 to 120ºC CC-36: -30 to 100ºC |
주요 도선 케이블과 함께 사용하는 작동 온도(℃) | 무산소 주석 도금 구리선: -50 ~ 150ºC |
자체 온도 보상(℃) | 20 ~ 50℃ |
적용선팽창계수(×10 -6 /℃) | - |
Gage factor | Approx. 170 |
상온에서의 변형 한계 (약 %) | 0.3 |
상온에서 피로수명. (times) | 2x10 6 (±1000μm/m, 상온) |
Products table
KSPH 2000Ω Uniaxial
4 게이지/팩
Model | Dimensions (mm) | |||
---|---|---|---|---|
Gage(Grid) | Base | |||
Length | Width | Length | Width | |
KSPH-4-2K-E4 | 4 | 0.73 | 11 | 4 |
4 게이지/팩
Model | Dimensions (mm) | |||
---|---|---|---|---|
Gage(Grid) | Base | |||
Length | Width | Length | Width | |
KSPH-9-10K-E4 | 9 | 0.58 | 16 | 5 |
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