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KYOWA KSPLB Semiconductor Strain Gages
Ultra 선형 반도체 스트레인 게이지
KSPLB 게이지는 비교적 넓은 범위에서 변형에 대한 저항 변화의 선형성이 우수하여 변환기의 감지 요소로 적합합니다
| 재료 저항 소자 | P type Si |
|---|---|
| 재료 베이스 | 폴리이미드 |
| 경화 후 주요 접착제와 결합된 작동 온도(℃) | EP-340: -50 ~ 150ºC CC-33A: -50 ~ 120ºC |
| 주요 도선 케이블과 함께 사용하는 작동 온도(℃) | 은도금 구리선: -50 ~ 150ºC |
| 자체 온도 보상(℃) | - |
| 적용선팽창계수(×10 -6 /℃) | - |
| Gage factor |
Approx. 90 |
| 상온에서의 변형 한계 (약 %) | 0.15 |
| 상온에서 피로수명. (times) | 2x10 6 (±1000μm/m) |
Products table

4 게이지/팩
| Model | Dimensions (mm) | |||
|---|---|---|---|---|
| Gage(Grid) | Base | |||
| Length | Width | Length | Width | |
| KSPLB-7-60-E4 | 7 | 0.28 | 14 | 5 |
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